Портал ISRAland - израильские новости

12.04.2005 | 15:55

Милтон Фенг и Валид Хейфз из университета Иллинойса создали самый быстрый в мире транзистор, способный работать на тактовой частоте 604 гигагерца.

Размеры нового транзистора — существенно меньше полмикрона, что, в общем-то, сопоставимо с размерами деталей, применяемых в современных микросхемах.

Новинка относится к так называемому типу биполярных транзисторов. Для создания его трёх слоёв (базы, эмиттера и коллектора) авторы проекта использовали смесь двух различных полупроводников — фосфид индия и арсенид галлия-индия.

Тщательно подбирая состав и пропорции, исследователи добились того, что электроны в коллекторе могут двигаться быстрее и пробегать большее расстояние, прежде, чем они тормозятся в столкновениях с атомами.

Хотя в компьютерах, отмечают учёные, используется, в основном, другой тип транзисторов — полевой, разработать такой транзистор на базе найденных материалов — возможно, хотя и будет не легко.

Однако созданные транзисторы (а ранее те же авторы выходили в свет с экспериментальными образцами на 282-509 гигагерц) — далеки от того, чтобы из них уже можно было составлять микросхемы с тысячами деталей. Пока речь идёт только об экспериментах.

И всё же, данная работа — это шаг к появлению высокоскоростных компьютеров.

Читайте последние новости раздела "Технологии":
Эксперты озвучили опасения на счет «DeepSeek»  →
«Microsoft» хочет купить «TikTok»  →
Трамп хочет «Железный купол для Америки» →
Израильская изобретательница готова бросить вызов пожарам  →
«TikTok» запретили в США  →
Илона Маска постигла крупная неудача  →

Поделиться:

Membrana.ru